环球第一家得胜量产232层3D NAND闪存芯片的企业伊人在线，并不是三星、SK海力士等著名国际巨头，其实是中国的长江存储，于2022年就制造出了环球首款232层的3D NAND闪存芯片。

而其时像好意思光、三星、SK海力士齐莫得精良量产，仅仅官宣了联系居品但没制造出来，是以长存的232层3D NAND闪存面世，对行业变成了强项的影响

和一般的逻辑芯片不通常，NAND闪存芯片，不可一味的追求XX纳米的微缩，因为当工艺到达15nm后，再削弱，存储芯片就极不相识，而数据存储芯片，最垂死的是相识。

是以存储芯片追求的是3D 堆叠，通过多层堆叠，提高存储密度，普及读写速率，这亦然为何存储芯片，说的是若干层的原因，层数越高，时代越先进，黑丝高跟存储额度越高。

是以长江存储232层3D NAND面市后，据称苹果齐有益接受长存的NAND闪存，而一朝长江存储收拢这个机，愚弄时辰窗口，向市集大批出货232层居品，那么三星、SK海力士、好意思光等齐会荒谬被迫。

于是好意思国入手了，一是施压苹果，不准使用长存的存储芯片，二是将长存拉入黑名单，不准先进的制造缔造，卖给长存。

自后好意思国更是立了一个想法，要锁死中国3D NAND闪存芯片晌代在128层，不准参加更高层。

不外，现时看来，这个想法很明显是失败了，不说之前的232层3D NAND闪存了，而近日，长江存储还是再次推出了160层的3D NAND闪存，冲突了128层。

可能许多东谈主会说，160层较蓝本的232层，不是后退了76层么，何如还说冲突了？

事实上，之前的232层是基于海外的先进缔造制造的，比如科磊、泛林、应用材料等，自后这些厂商不再提供先进缔造了。

于是长江存储转向国产缔造，与朔方华创、中微、拓荆科技等协作，用国产缔造取代了大部分的好意思系缔造。

而160层的3D NAND闪存芯片，险些是接受全套国产缔造分娩出来的芯片，而接受国产缔造也能冲突128层的制裁，这便是强项的冲突和极端了吧。

而按照TechInsights 的分析，这款160层时代的3D NAND，还发现了可能应用xtacking 4.0工艺的颗粒，其晶粒密度为12.66 Gb/mm2，芯片密度为0.632 mm2/GB。

这个时代性能，饱和不输给其它国产大厂的水准，机构料想，长江存储以至还是将 Xtacking4.0 时代与 2xxL 和 2yyL 等更高层时代相讨论起来了。

可见伊人在线，中国东谈主造芯通常很利害的，惟有肯起劲，好意思国的打压，可能会成为中国芯崛起的催化剂，助力中国芯更快更好的崛起，你潜入是呢？